Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом

1.Подключите все составляющие нанометрологического комплекса как показано на блок схеме.

2.Подключите интерферометр к интерфейсу USB вашего компьютера;

3.Закрепите наноэталон на интерферометр так, чтоб зеркало эталона находилось напротив измерительного отверстия оптического блока на расстоянии 15 мм от основания рис. 48;

4.Запустите программку Optical Interferometer.exe и удостоверьтесь в наличии изображения рис. 50а.

5.Добейтесь Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом возникновения контрастной интерференционной картины на дисплее компьютера методом плавного перемещения образца повдоль направляющих рис. 50б

Рис.49. Наноэталонный оптический блок

Рис. 50а. Интерференционная картина

Рис. 50б. Интерференционная картина

6.Установите при помощи юстировочных винтов наклона зеркала 10-20 полос на дисплее рис. 51.

Рис. 51. Интерференционная картина.

7.После возникновения 10-20 полос на дисплее нажмите кнопку Restart 0в правой части Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом программки.

8.Дождитесь возникновения графика на правой части экрана.

9.Установите тумблер полярности в положение +.

10.Включите цифровой вольтметр.

11.Включите поворотом по часовой стрелки потенциометра блока питания, при всем этом зажгется красноватый светодиод.

12.Установите наивысшую величину напряжения 100В.

13.Включите генератор прямоугольных импульсов.

14.На правом экране наблюдайте график соответственный перемещению зеркала наноэталона.

15.Остановите процесс Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом отображения графика, нажав на кнопку Pause в левой части программки и отключив генератор прямоугольных импульсов.

Рис.52. Интерференционная картина в программке

Optical Interferometer.

16.На графике курсором изберите две точки надлежащие основанию и верхушке импульса выбрав кнопку Markerв правой части экрана программки рис. 52.

17.Приобретенные результаты показываются в таблице Measuring table правой Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом нижней части экрана, в третьей колонке, рис. 53 - измерения занести в таблицу;

Рис. 53.Таблица с приобретенными плодами.

18.Повторите деяния с пт 13 при разных напряжениях – 200….1000В.

19.На основании приобретенных данных постройте график зависимости перемещения величины наноэталона под действием управляющего напряжения.

Рис. 54. Зависимость величины перемещения поверхности пьезоэлектрического материала от величины управляющего напряжения

СОДЕРЖАНИЕ

Введение...............................................................................................3

Работа 1. Синтез Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом и оптические характеристики аква смесей

микрочастиц золота..............................................................................5

Работа 2. Получение микрочастиц серебра ......................................18

Работа 3. Получение двумерных наноструктур способом анодного травления............................................................................................25

Работа 4. Базы способов зондовой микроскопии

наноструктур.....................................................................................35

Работа 5. Исследование оптических параметров наноструктур и фотонных кристаллов............................................................................54

Работа 6.Оптическое манипулированием одиночными микрочастицами в оптическом пинцете ............................................................62

Работа № 7. Сборка солнечного элемента нового типа с внедрением нанотехнологий....................................................................74

Работа 8. Исследование процесса Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом обработки наноразмерных плёнок и поверхности в критериях СВЧ плазмохимического травления.....83

Работа 9.Измерение управляемого перемещения в нанометровом спектре материалов с оборотным пьезоэффектом ..................101

Наталия Михайловна Дроздова

Вадим Олегович Вальднер

Анатолий Аркадьевич Евдокимов

Наталия Ивановна Ершова

Александр Анатольевич Ежов

Александр Григорьевич Жданов

Петр Николаевич Лускинович

Лена Дмитриевна Мишина

Владимир Васильевич Паньков

Владислав Иванович Свитов

Александр Иванович Стогний

Андрей Анатольевич Федянин

Наталия Эдуардовна Шерстюк

ПОЛУЧЕНИЕ Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом И ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР

Лабораторный практикум по нанотехнологиям

Редактор А.С.Сигов

Технический редактор: В.И.Свитов

Художественное оформление: С.В.Семин

На первой страничке обложки применены фото Ельцова К.Н. (СТМ-изображение поверхности Au(111)-(22xÖ3), покрытой атомами хлора-слева; Заведеева Е.В. (Наноструктуры на поверхности алмазоподобной углеродной пленки с кремнием)-справа. Мишина Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом Е.Д.(Оптическое микроскопичное изображение медного фотонного кристалла)-общий фон.

Изд. лицензия № 020456 от 04.03.97.

Подписано в печать ХХ.ХХ.2006. Формат 60´84 1/16.

Бумага офсетная. Печать офсетная.

Усл. печ. л. Х,ХХ.Усл. кр.-отт. ХХ,ХХ. Уч.-изд. л. Х,Х.

Тираж 120 экз. С 36.

Столичный муниципальный институт радиотехники,

электроники и автоматики (технический институт)

119454, Москва Подготовка к работе с нанометрологическим комплексом, просп. Вернадского, 78


podgotovka-filma-k-montazhu.html
podgotovka-francuzskogo-prosvesheniya-statya.html
podgotovka-germanii-k-vojne.html